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Photo-patternable ion gel-gated graphene transistors and inverters on plastic

机译：塑料上可光图案化的离子凝胶门控石墨烯晶体管和逆变器

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We demonstrate photo-patternable ion gel-gated graphene transistors and inverters on plastic substrates. The photo-patternable ion gel can be used as a negative photoresist for the patterning of underlying graphene as well as gate dielectrics. As a result, an extra graphene-patterning step is not required, which simplifies the device fabrication and avoids a side effect arising from the photoresist residue. The high capacitance of ion gel gate dielectrics yielded a low voltage operation (～2 V) of the graphene transistor and inverter. The graphene transistors on plastic showed an on/off-current ratio of ～11.5, along with hole and electron mobilities of 852 ± 124 and 452 ± 98 cm~2 V~(-1) s-1, respectively. In addition, the flexible graphene inverter was successfully fabricated on plastic through the potential superposition effect from the drain bias. These devices show excellent mechanical flexibility and fatigue stability.
机译：我们演示了在塑料基板上可光图案化的离子凝胶门控石墨烯晶体管和反相器。可光图案化的离子凝胶可用作负性光刻胶，用于对下面的石墨烯以及栅极电介质进行图案化。结果，不需要额外的石墨烯构图步骤，这简化了器件制造并避免了由光致抗蚀剂残留物引起的副作用。离子凝胶栅极电介质的高电容产生了石墨烯晶体管和反相器的低电压操作（约2 V）。塑料上的石墨烯晶体管的开/关电流比约为11.5，空穴和电子迁移率分别为852±124和452±98 cm〜2 V〜（-1）s-1。另外，通过漏极偏压的电位叠加效应，成功地在塑料上制造了柔性石墨烯逆变器。这些设备具有出色的机械柔韧性和疲劳稳定性。

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