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【24h】

Nitrogen-doped, boron-doped and undoped multiwalled carbon nanotube/polymer composites in WORM memory devices

机译：WORM存储设备中的氮掺杂，硼掺杂和未掺杂的多壁碳纳米管/聚合物复合材料

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We report the preparation of write-once-read-many times memory devices using composites of carbon nanotubes and poly(vinyl phenol) sandwiched between Al electrodes. Three types of nanotubes (undoped multiwalled carbon nanotubes, nitrogen-doped multiwalled carbon nanotubes and boron-doped multiwalled carbon nanotubes) are investigated for this application. The OFF to ON state switching threshold is only slightly dependent on nanotube type, but the ON/OFF current ratio depends on both nanotube type and concentration and varies up to 10 ~6, decreasing for nanotube concentrations larger than 0.50 wt% in the composite.
机译：我们报告使用碳纳米管和夹在Al电极之间的聚（乙烯基苯酚）的复合材料编写一次写入多次读取存储设备。针对该应用，研究了三种类型的纳米管（未掺杂的多壁碳纳米管，氮掺杂的多壁碳纳米管和硼掺杂的多壁碳纳米管）。从OFF到ON状态的切换阈值仅略微取决于纳米管的类型，但是ON / OFF电流比取决于纳米管的类型和浓度，并且变化高达10〜6，对于复合物中大于0.50 wt％的纳米管浓度，其减小。

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