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Dislocation scatterings in p-type Si1-xGex under weak electric field

机译：弱电场下p型Si1-xGex中的位错散射

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We present a theoretical model which describes hole mobility degradation by charged dislocations in p-type Si1-xGex. The complete analytical expression of the dislocation mobility is calculated from the momentum relaxation time of hole carriers under weak electric field. The obtained dislocation mobility shows a T-3/2/lambda relation and is proportional to the germanium density x. We also suggest a criterion for negating scatterings by dislocations in terms of the controllable parameters such as acceptor dopant density, dislocation density, temperature, and Ge density x, etc.
机译：我们提出了一种理论模型，该模型描述了p型Si1-xGex中带电位错引起的空穴迁移率降低。从弱电场作用下空穴载流子的动量弛豫时间计算出位错迁移率的完整解析表达式。所获得的位错迁移率显示出T-3 / 2 /λ关系，并且与锗密度x成比例。我们还提出了根据可控参数（例如受主掺杂剂密度，位错密度，温度和Ge密度x等）通过位错消除散射的标准。

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