• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Nanotechnology >Gateless patterning of epitaxial graphene by local intercalation
【24h】

Gateless patterning of epitaxial graphene by local intercalation

机译：通过局部插层对外延石墨烯进行无栅极构图

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

We present a technique to pattern the charge density of a large-area epitaxial graphene sheet locally without using metallic gates. Instead, local intercalation of the graphene-substrate interface can selectively be established in the vicinity of graphene edges or predefined voids. It provides changes of the work function of several hundred meV, corresponding to a conversion from n-type to p-type charge carriers. This assignment is supported by photoelectron spectroscopy, scanning tunneling microscopy, scanning electron microscopy and Hall effect measurements. The technique introduces materials contrast to a graphene sheet in a variety of geometries and thus allows for novel experiments and novel functionalities.
机译：我们提出了一种在不使用金属栅极的情况下局部图案化大面积外延石墨烯片的电荷密度的技术。相反，可以在石墨烯边缘或预定空隙附近选择性地建立石墨烯-衬底界面的局部插入。它提供了几百meV的功函数变化，对应于从n型到p型载流子的转换。光电子光谱学，扫描隧道显微镜，扫描电子显微镜和霍尔效应测量均支持这一任务。该技术在各种几何结构中引入了与石墨烯片形成对比的材料，因此可以进行新颖的实验和新颖的功能。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号