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Stability enhancement of PbSe quantum dots via post-synthetic ammonium chloride treatment for a high-performance infrared photodetector

机译：通过后合成氯化铵处理提高高性能红外光电探测器对PbSe量子点的稳定性

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Infrared (IR) emission lead selenide (PbSe) quantum dots (QDs) have gained considerable attention in the last decade due to their potential applications in optoelectronic devices. However, the comprehensive applications of PbSe QDs have not been realized yet due to their high susceptibility to oxidation in air. In this paper, we demonstrate the stability enhancement of PbSe colloidal QDs via a post-synthetic ammonium chloride treatment and its applications in a solution-processed high-performance IR photodetector with a field-effect transistor (FET) configuration by reversely fabricating the PbSe active layer and polymethylmethacrylate (PMMA) dielectric layer. The responsivity and the specific detectivity of the FET-based photodetector Au(source, drain)/PbSe(52 nm)/PMMA(930 nm)/Au(gate) reached 64.17 mAW(-1) and 5.08 x 10(10) Jones, respectively, under 980 nm laser illumination with an intensity of 0.1 mWcm(-2). Therefore, it provides a promising way to make a high-sensitivity near-IR/mid-IR photodetector.
机译：红外（IR）发射硒化铅（PbSe）量子点（QDs）在近十年来由于其在光电设备中的潜在应用而备受关注。但是，由于PbSe量子点对空气中的氧化敏感性很高，因此尚未实现其全面应用。在本文中，我们通过反向合成PbSe活性物质，证明了通过合成后氯化铵处理提高PbSe胶体量子点的稳定性，及其在具有场效应晶体管（FET）配置的溶液处理高性能红外光电探测器中的应用层和聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）介电层。基于FET的光电探测器Au（源，漏）/ PbSe（52 nm）/ PMMA（930 nm）/ Au（栅极）的响应度和比检测率达到64.17 mAW（-1）和5.08 x 10（10）Jones分别在980 nm激光照射下，强度为0.1 mWcm（-2）。因此，它为制造高灵敏度的近红外/中红外光电探测器提供了一种有希望的方法。

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