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Enhanced luminescence from GaN nanopillar arrays fabricated using a top-down process

机译：使用自顶向下工艺制造的GaN纳米柱阵列增强了发光

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We report the fabrication of GaN nanopillar arrays with good structural uniformity using the top-down approach. The photoluminescence intensity from the nanopillar arrays is enhanced compared to the epilayer. We use finite difference time domain simulations to show that the enhancement in photoluminescence intensity from the nanopillar arrays is a result of antireflection properties of the arrays that result in enhanced light absorption and increase light extraction efficiency compared to the epilayer. The measured quantum efficiency of the nanopillars is comparable to that of an epitaxially grown GaN epilayer.
机译：我们报告了使用自上而下的方法制造的具有良好结构均匀性的GaN纳米柱阵列。与外延层相比，纳米柱阵列的光致发光强度得到增强。我们使用时域有限差分仿真显示，纳米柱阵列的光致发光强度增强是阵列的抗反射特性的结果，与外延层相比，该阵列的光吸收增强，光提取效率提高。测得的纳米柱的量子效率与外延生长的GaN外延层的量子效率相当。

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