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Electroluminescence from silicon-based photonic crystal microcavities with PbSe quantum dots

机译:具有PbSe量子点的硅基光子晶体微腔的电致发光

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摘要

The characteristics of electrically injected silicon-based photonic crystal microcavities with PbSe quantum dots are described. The device includes suitable electron and hole transporting layers and contact layers. The measured electroluminescence at room temperature exhibits an enhanced spontaneous emission. The resonant mode is observed at lambda velence 1669 nm with a spectral linewidth of 4 nm, corresponding to a cavity Q factor of approx420.
机译:描述了具有PbSe量子点的电注入硅基光子晶体微腔的特性。该器件包括合适的电子和空穴传输层以及接触层。在室温下测得的电致发光表现出增强的自发发射。在λ速度1669 nm处观察到共振模式,光谱线宽为4 nm,对应于约420的腔Q因子。

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