• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Optics Letters >GaSb-based vertical-cavity surface-emitting lasers with an emission wavelength at 3 mu m
【24h】

GaSb-based vertical-cavity surface-emitting lasers with an emission wavelength at 3 mu m

机译：基于GaSb的垂直腔面发射激光器，发射波长为3μm

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

GaSb-based electrically pumped vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) with a buried tunnel junction emitting at 3 mu m are demonstrated. To achieve this, a low optical loss VCSEL concept with an undoped epitaxial distributed Bragg reflector and intracavity contact is presented. The devices operate up to 5 degrees C continuous wave and up to 50 degrees C in pulsed mode. Single-mode operation with a side-mode suppression ratio of 30 dB and electro-thermal tuning range of 19.7 nm is achieved. (C) 2016 Optical Society of America
机译：演示了基于GaSb的电泵浦垂直腔表面发射激光器（VCSEL），其埋入式隧道结的发射波长为3μm。为了实现这一目标，提出了一种具有无掺杂外延分布布拉格反射器和腔内接触的低光损耗VCSEL概念。该器件可在高达5摄氏度的连续波下运行，在脉冲模式下也可在50摄氏度下运行。实现了单模工作，其旁模抑制比为30 dB，电热调谐范围为19.7 nm。 （C）2016美国眼镜学会

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号