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首页> 外文期刊>Physica, B. Condensed Matter >Zeeman spectroscopy of Be impurity in GaAs to 30 T
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Zeeman spectroscopy of Be impurity in GaAs to 30 T

机译：砷化镓中砷杂质到30 T的塞曼光谱

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Absorption measurements have been made in fields to 30 T of the far-infrared optical transitions associated with the Be impurity in GaAs. The order and magnitude of the splitting of the ground state has been clarified by low-field (to 6 T) photo-thermal ionisation spectroscopy measurements of the C line. In light of the new high-field data the G line is now believed to comprise two unresolved components. At high magnetic field (above 25 T) a new feature appears which increases in energy with field at a much greater rate than the other transitions; this is thought to originate in valence-band Landau levels. (C) 2004 Elsevier B.V. All rights reserved.
机译：已经在与GaAs中的Be杂质相关的30 T远红外光学跃迁的场中进行了吸收测量。通过C线的低场（至6 T）光热电离光谱测量，已经清楚了基态分裂的顺序和幅度。根据新的高场数据，现在认为G线包含两个未解析的分量。在高磁场（25 T以上）下，出现了一个新特征，该特征随磁场的增加比其他跃迁要大得多。据认为，这起源于价带的朗道能级。 （C）2004 Elsevier B.V.保留所有权利。

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