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Polarized neutron reflectivity of dilute magnetic semiconductors

机译：稀磁半导体的极化中子反射率

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We report on a polarized neutron reflectivity investigation of the magnetization in Ge-based dilute magnetic semiconductors. We could observe a net magnetization from the splitting of the non-spin flip reflectivity patterns, which measure the magnetic moment parallel and antiparallel to the applied field. This contrast is visible at 50 K, at remanence and it is pronounced at higher fields even at 250 K for an inhomogeneous specimen. For a homogeneous sample the magnetic variation is visible only at 50 K and above 1.0 kOe. Thus, polarized neutron reflectivity can be a useful tool for investigating the magnetism in homogeneous and inhomogeneous thin film magnetic semiconductors. (c) 2007 Elsevier B.V. All rights reserved.
机译：我们报告了基于Ge的稀磁半导体中的磁化强度的极化中子反射率研究。我们可以从非自旋翻转反射率模式的分裂中观察到净磁化强度，该模式测量与施加磁场平行和反平行的磁矩。这种对比度在剩磁50 K时可见，对于不均匀的标本，即使在250 K时在更高的视野中也很明显。对于均质样品，磁变化仅在50 K和1.0 kOe以上可见。因此，极化中子反射率可以是研究均质和非均质薄膜磁性半导体中磁性的有用工具。 （c）2007 Elsevier B.V.保留所有权利。

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