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首页> 外文期刊>Physica, B. Condensed Matter >Carrier lifetime dependence on doping, metal implants and excitation density in Ge and Si
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Carrier lifetime dependence on doping, metal implants and excitation density in Ge and Si

机译：载流子寿命取决于掺杂，金属注入和Ge和Si中的激发密度

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Results are presented of a comparative study of the dependence of carrier recombination characteristics on excitation and dopant concentration in Si and Ge. The bulk lifetime observations are simulated by combining the Shockley-Read-Hall model with Auger recombination above a doping concentration threshold. It is shown that the bulk carrier lifetime behaviour in Si and Ge is very similar. The lifetime dependence on dopant concentration in germanium can be phenomenologically described by assuming a linear increase of recombination centre concentration with dopant concentration. Recombination characteristics in n-Ge implanted with Co, Fe, Ti, Ni and Cr are studied before and after annealing. (C) 2007 Elsevier B.V. All rights reserved.
机译：给出了载流子复合特性对激发和Si和Ge中掺杂物浓度依赖性的比较研究结果。通过将Shockley-Read-Hall模型与高于掺杂浓度阈值的俄歇复合法相结合，来模拟体寿命观察。结果表明，Si和Ge中的载流子寿命行为非常相似。通过假设重组中心浓度随掺杂物浓度线性增加，可以从现象学上描述锗对掺杂物浓度的寿命依赖性。研究了退火前后Co，Fe，Ti，Ni和Cr注入的n-Ge的复合特性。 （C）2007 Elsevier B.V.保留所有权利。

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