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【24h】

Characterization of donor states in ZnO

机译：ZnO中施主态的表征

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We performed electrical and optical measurements on as-grown ZnO which exhibits n-type conductivity. So far, neither the origin of the residual conductivity nor the electrical properties of the responsible defects is fully understood. We investigated shallow and deep donors in ZnO materials grown with pulsed laser injection using admittance spectroscopy. We identifed shallow donors with ionization energies as low as 15 meV which may be attributed to native defects. Annealing in nitrogen ambient enhances the conductivity by further lowering the ionization energy of the shallow donors. Using optically excited admittance spectroscopy we also found deep defects. They are strongly metastable and account for a significant part of the persistent photoconductivity in our ZnO materials. (c) 2007 Elsevier B.V. All rights reserved.
机译：我们对生长中的nO型ZnO进行了电学和光学测量。到目前为止，还没有完全了解残余电导率的起源或负责任缺陷的电特性。我们使用导纳光谱研究了脉冲激光注入生长的ZnO材料中的浅和深施主。我们确定了电离能低至15 meV的浅施主，这可能归因于天然缺陷。在氮气环境中进行退火可通过进一步降低浅施主的电离能来提高电导率。使用光激发导纳光谱，我们还发现了严重的缺陷。它们是高度亚稳的，并且占了我们ZnO材料中持久光电导的重要部分。 （c）2007 Elsevier B.V.保留所有权利。

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