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首页> 外文期刊>Physica, B. Condensed Matter >One-phonon-assisted resonant electron Raman scattering in GaAs (CdS) quantum dots
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One-phonon-assisted resonant electron Raman scattering in GaAs (CdS) quantum dots

机译：GaAs（CdS）量子点中的单声子辅助共振电子拉曼散射

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We have presented a theoretical calculation of the differential cross section (DCS) for the electron Raman scattering process associated with the bulk longitudinal optical (LO) and surface optical (SO) phonon modes in semiconductor quantum dots (QDs) for two different materials. Electron states are considered to be confined within QDs with infinite potential barriers. We consider the Frohlich electron-phonon interaction in the framework of the dielectric continuum approach. We study selection rules for the processes. Some singularities for various QD size in the Raman spectra are found and interpreted. The numerical results are also compared with those of experiments. (c) 2007 Elsevier B.V. All rights reserved.
机译：我们已经针对两种不同材料的半导体量子点（QD）中的整体纵向光学（LO）和表面光学（SO）声子模式与电子拉曼散射过程提出了微分截面（DCS）的理论计算。电子状态被认为被限制在具有无限势垒的量子点内。我们在介电连续体方法的框架内考虑了Frohlich电子-声子相互作用。我们研究过程的选择规则。发现并解释了拉曼光谱中各种QD尺寸的奇异之处。数值结果也与实验结果进行了比较。 （c）2007 Elsevier B.V.保留所有权利。

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