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Resonant tunneling in electrically biased multibarrier systems

机译：电偏置多势垒系统中的共振隧穿

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The effect of a uniform electric field on the resonant tunneling across multibarrier systems (GaAs/AlxGa1-xAs and GaN/AlxGa1-xN) is exhaustively explored by a computational model using exact Airy function formalism and the transfer-matrix technique. The numerical computation takes care of the common problems of numerical inefficiency and overflow associated with the Airy functions for low-applied voltages. The model presents the study of both the field-free and field-dependent tunneling across multibarrier systems using a single formalism. The current-voltage characteristics, studied for the multibarrier systems with different number of barriers, exhibit all the experimentally observed features like resonant peaks, negative differential conductivity regimes, etc. Our results have both qualitative and quantitative agreement with the reported experimental findings. (C) 2008 Elsevier B.V. All rights reserved.
机译：通过使用精确的艾里函数形式和传递矩阵技术的计算模型，详尽地探讨了均匀电场对跨多势垒系统（GaAs / AlxGa1-xAs和GaN / AlxGa1-xN）的共振隧穿的影响。数值计算解决了与低施加电压的艾里函数相关的数值效率低下和溢出的常见问题。该模型使用单一形式表示跨多壁垒系统的无场和场相关隧道研究。针对具有不同数量的势垒的多势垒系统进行的电流-电压特性研究，显示了所有实验观察到的特征，例如谐振峰，负电导率范围等。我们的结果与报道的实验结果在质量和数量上都吻合。 （C）2008 Elsevier B.V.保留所有权利。

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