...
  • 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Physica, B. Condensed Matter >Structure of Ge-O complexes in Czochralski silicon
【24h】

Structure of Ge-O complexes in Czochralski silicon

机译：直拉硅中Ge-O配合物的结构

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

The structures of Ge-O complexes in germanium-doped Czochralski (CZ) silicon wafers have been investigated by means of density functional theory (DFT). The calculations present the fact that the Ge-O complexes can be formed with the absence of vacancy during low-temperature thermal cycles so that they can enhance oxygen precipitation. Furthermore, the total energy of different Ge-O complexes is calculated, and then optimized and stable structure of Ge-O complexes is suggested. Crown Copyright (C) 2008 Published by Elsevier B.V. All rights reserved.
机译：利用密度泛函理论（DFT）研究了掺锗的切克劳斯基（CZ）硅片中Ge-O配合物的结构。计算结果表明，可以在低温热循环过程中在没有空位的情况下形成Ge-O络合物，从而可以增强氧的沉淀。此外，计算了不同Ge-O配合物的总能量，然后提出了优化且稳定的Ge-O配合物结构。 Crown版权所有（C）2008，Elsevier B.V.保留所有权利。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号