...
  • 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Physica, B. Condensed Matter >Density functional calculations for manganese impurity in bulk silicon material
【24h】

Density functional calculations for manganese impurity in bulk silicon material

机译：大块硅材料中锰杂质的密度泛函计算

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

Using the density functional theory within the spin generalised gradient approximation (σGGA), we systematically investigate the structural, magnetic, and electronic properties of silicon crystal upon the influence of doping manganese atoms. We have also presented detailed results and comparison for the substitutional and interstitial Mn-doped structures. It is found that the tetrahedral interstitial site is the energetically most stable structure for the Mn-doped Si with a little energy preferency over the substitutional site. To account the effect of the electron correlation on the Mn 3d orbitais, we have carried out similar calculations by employing the Hubbard potential U within the standard GGA method (viz. σGGA+U method). Finally we have compared the results obtained within these computational approaches, σGGA and σGGA+U, with the available theoretical and experimental findings.
机译：使用自旋广义梯度逼近（σGGA）中的密度泛函理论，我们系统地研究了掺杂锰原子的影响下硅晶体的结构，磁性和电子性质。我们还提出了替代锰和间隙锰掺杂结构的详细结果和比较。发现四面体间隙位点是掺杂Mn的Si在能量上最稳定的结构，其对取代位点的能量偏好较小。为了说明电子相关性对Mn 3d轨道的影响，我们通过在标准GGA方法（即σGGA+ U方法）内采用哈伯德电位U进行了类似的计算。最后，我们将σGGA和σGGA+ U在这些计算方法中获得的结果与可用的理论和实验结果进行了比较。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号