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首页> 外文期刊>Physica, B. Condensed Matter >Polarized neutron reflectometry from the interface of the heterostructures SiO2(Co)/Si and SiO2(Co)/GaAs
【24h】

Polarized neutron reflectometry from the interface of the heterostructures SiO2(Co)/Si and SiO2(Co)/GaAs

机译：SiO2（Co）/ Si和SiO2（Co）/ GaAs异质结构界面的极化中子反射法

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Polarized neutron reflectometry is used to investigate SiO2(CO) granular films (70at% of Co nanoparticles in SiO2 matrix) deposited on Si and GaAs substrates. The aim of the study is to compare magnetization depth profiles in two systems: in SiO2(Co)/GaAs heterostructure which shows at room temperature giant injection magnetoresistance (IMR) with the system SiO2(CO)/Si which reveals almost no IMR effect. We found that at room temperature and at the same value of external magnetic field mean magnetization in the SiO2(Co)/GaAs sample is much higher than in the case of SiO2(Co)/Si. We also demonstrate that magnetic scattering length density, and hence, magnetization profile strongly depends on the substrate. We show that SiO2(Co)/Si heterostructure is ferromagnetically ordered within the temperature range between 120 and 460 K what could explain a weak IMR.
机译：极化中子反射法用于研究沉积在Si和GaAs衬底上的SiO2（CO）颗粒薄膜（SiO2基质中70at％的Co纳米颗粒）。该研究的目的是比较两种系统中的磁化深度分布：SiO2（Co）/ GaAs异质结构在室温下显示出大注入磁阻（IMR），而SiO2（CO）/ Si系统几乎没有IMR效应。我们发现，在室温和相同外部磁场值下，SiO2（Co）/ GaAs样品中的平均磁化强度远高于SiO2（Co）/ Si情况。我们还证明了磁散射长度密度以及因此的磁化强度很大程度上取决于基底。我们表明，SiO2（Co）/ Si异质结构在120至460 K的温度范围内呈铁磁有序排列，这可以解释弱的IMR。

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