...
  • 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Physica, B. Condensed Matter >Impurity photovoltaic effect in silicon solar cell doped with sulphur: A numerical simulation
【24h】

Impurity photovoltaic effect in silicon solar cell doped with sulphur: A numerical simulation

机译：掺杂硫的硅太阳能电池中的杂质光伏效应：数值模拟

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

The impurity photovoltaic effect (IPV) has mostly been studied in various semiconductors such as silicon, silicon carbide and GaAs in order to increase infrared absorption and hence cell efficiency. In this work, sulphur is used as the IPV effect impurity incorporated in silicon solar cells. For our simulation we use the numerical device simulator (SCAPS). We calculate the solar cell performances (short circuit current density J_(sc), open circuit voltage V_(oc), conversion efficiency η and quantum efficiency QE). We study the influence of light trapping and certain impurity parameters like impurity concentration and position in the gap on the solar cell performances. Simulation results for IPV effect on silicon doped with sulphur show an improvement of the short circuit current and the efficiency for sulphur energy levels located far from the middle of the band gap especially at E _cE_t=0.18 eV.
机译：为了增加红外吸收并因此提高电池效率，主要在各种半导体（例如硅，碳化硅和GaAs）中研究了杂质光伏效应（IPV）。在这项工作中，硫被用作掺入硅太阳能电池中的IPV效应杂质。对于我们的仿真，我们使用数字设备仿真器（SCAPS）。我们计算太阳能电池的性能（短路电流密度J_（sc），开路电压V_（oc），转换效率η和量子效率QE）。我们研究了光陷阱和某些杂质参数（如杂质浓度和间隙中的位置）对太阳能电池性能的影响。 IPV对掺杂硫的硅的影响的仿真结果表明，短路电流得到了改善，并且硫能级的效率大大提高，尤其是在E _cE_t = 0.18 eV时，其能级位于带隙中间。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号