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首页> 外文期刊>Physica, B. Condensed Matter >Pure, Si and sp(3)-C-doped graphene nanoflakes: A numerical study of density of states
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Pure, Si and sp(3)-C-doped graphene nanoflakes: A numerical study of density of states

机译：纯，Si和sp（3）-C掺杂的石墨烯纳米薄片：状态密度的数值研究

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We built graphene nanoflakes doped or not with C atoms in the sp(3) hybridization or with Si atoms. These nanoflakes are isolated, i.e. are not connected to any object (substrate or junction). We used a modified tight binding method to compute the pi and sigma density of states. The nanoflakes are semiconducting (due to the armchair geometry of their boundaries) when they are pure but they become conducting when doped because doping removes the degeneracy of the density of states levels. Moreover, we showed that the it Fermi level and the pi Fermi level of both pi and sigma electrons are not superimposed for small isolated nanoflakes.
机译：我们构建了在sp（3）杂化过程中掺杂或不掺杂C原子或Si原子的石墨烯纳米薄片。这些纳米薄片是隔离的，即未连接到任何对象（基板或结）。我们使用一种改进的紧密绑定方法来计算状态的pi和sigma密度。纳米薄片在纯净时是半导体性的（由于其边界的扶手椅几何形状），但在掺杂时会导电，因为掺杂消除了状态密度的简并性。此外，我们表明，对于小的孤立纳米薄片，pi和sigma电子的it费米能级和pi费米能级均不重叠。

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