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首页> 外文期刊>Physica, B. Condensed Matter >TSC measurements in a-Ge_(22)Se_(78-x)Bi_x thin films
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TSC measurements in a-Ge_(22)Se_(78-x)Bi_x thin films

机译：a-Ge_（22）Se_（78-x）Bi_x薄膜中的TSC测量

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In the present paper thermally stimulated current measurements have been made in a-Ge_(22)Se_(78-x)Bi_x (x=0, 10) thin films in order to determine trap parameters such as trap depth and trap density. Trap depth has been calculated using the initial rise method proposed by Garlick and Gibson. The trap depth is found to be 0.41 and 0.30 eV for x=0 and 10, respectively. The trap density (N_t) was also calculated, which was found to be 2.08×10~(17) and 1.48×10~(16) cm ~(-3) for x=0 and 10, respectively. The decrease in trap density on Bi addition is explained in terms of the structure of the ternary alloy.
机译：在本文中，已经在a-Ge_（22）Se_（78-x）Bi_x（x = 0，10）薄膜中进行了热激励电流测量，以确定陷阱参数，例如陷阱深度和陷阱密度。陷阱深度已使用Garlick和Gibson提出的初始上升方法进行了计算。发现对于x ＝ 0和10，陷阱深度分别为0.41和0.30eV。还计算出陷阱密度（N_t），对于x ＝ 0和10，发现陷阱密度（N_t）分别为2.08×10〜（17）和1.48×10〜（16）cm〜（-3）。根据三元合金的结构解释了Bi添加时陷阱密度的降低。

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