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首页> 外文期刊>Physica, B. Condensed Matter >Electronic structure of (BP)n/(BAs)n (0 0 1) superlattices
【24h】

Electronic structure of (BP)n/(BAs)n (0 0 1) superlattices

机译：（BP）n /（BAs）n（0 0 1）超晶格的电子结构

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An accurate ab initio full potential linear muffin-tin orbital method has been used to investigate the structural, electronic and optical properties of BP, BAs and their (BP)n/(BAs)n superlattices (SLs). The exchange-correlation potential is treated with the local density approximation of Perdew and Wang (LDA-PW). The calculated structural properties of BP and BAs compounds are in good agreement with available experimental and theoretical data. It is found that BP, BAs and their alloys exhibit an indirect fundamental band gap. The fundamental band gap decreases with increasing the number of monolayer n. The optical properties show that the static dielectric constant significantly decreases in superlattices compared to their binary compounds.
机译：一种准确的从头开始的全势线性松饼-锡线性势能方法已被用于研究BP，BAs及其（BP）n /（BAs）n超晶格（SLs）的结构，电子和光学性质。用Perdew和Wang（LDA-PW）的局部密度近似处理交换相关势。 BP和BAs化合物的计算结构特性与可用的实验和理论数据非常吻合。发现BP，BAs及其合金表现出间接的基带隙。基带隙随单层n数量的增加而减小。光学性质表明，超晶格中的静态介电常数与其二元化合物相比明显降低。

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