...
  • 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Physica, B. Condensed Matter >Electron spin resonance and Rashba field in GaN-based materials
【24h】

Electron spin resonance and Rashba field in GaN-based materials

机译：GaN基材料中的电子自旋共振和Rashba场

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

We discuss problem of Rashba field in bulk GaN and in GaN/Al _xGa_(1-x)N two-dimensional electron gas, basing on results of X-band microwave resonance experiments. We point at large difference in spinorbit coupling between bulk material and heterostructures. We observe coupled plasmoncyclotron resonance from the two-dimensional electron gas, but no spin resonance, being consistent with large zero-field spin splitting due to the Rashba field reported in the literature. In contrast, small anisotropy of g-factor of GaN effective mass donors indicates rather weak Rashba spinorbit coupling in bulk material, not exceed 400 G, α_(BIA)<4× 10~(-13) eVcm. Furthermore, we observe new kind of electron spin resonance in GaN, which we attribute to surface electron accumulation layer. We conclude that the sizable Rashba field in GaN/Al_xGa_(1-x)N heterostructures originates from properties of the interface.
机译：基于X波段微波共振实验的结果，讨论了块状GaN和GaN / Al _xGa_（1-x）N二维电子气中的Rashba场问题。我们指出散装材料和异质结构之间的自旋轨道耦合存在很大差异。我们从二维电子气中观察到耦合等离激元回旋共振，但没有自旋共振，这与文献中报道的Rashba场导致的大零场自旋分裂是一致的。相反，GaN有效质量给体的g因子较小的各向异性表明，块状材料中的Rashba自旋轨道耦合相当弱，不超过400 G，α_（BIA）<4×10〜（-13）eVcm。此外，我们观察到GaN中新型的电子自旋共振，这归因于表面电子累积层。我们得出结论，GaN / Al_xGa_（1-x）N异质结构中的相当大的Rashba场源自界面的属性。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号