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首页> 外文期刊>Physica, B. Condensed Matter >Current-conduction mechanisms in Au-CdTe Schottky solar cells in the wide temperature range
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Current-conduction mechanisms in Au-CdTe Schottky solar cells in the wide temperature range

机译：宽温度范围内Au / n-CdTe肖特基太阳能电池的电流传导机理

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The current-conduction mechanisms in Au-CdTe Schottky solar cells have been investigated by considering the series resistance (R s) effect in the temperature range 120-380 K. The obtained values of main electrical parameters such as zero-bias barrier height (Φ _(bo)), ideality factor (n) and R _s were found strongly function of temperature. While the Φ _(bo) increases, the n decreases with the increasing temperature. Such behavior can be explained on the basis of the thermionic emission (TE) theory with the Gaussian distribution (GD) of the barrier height (BH) being related to inhomogeneities at the metal/semiconductor (M/S) interface. The results show that the conduction mechanism in Au-CdTe Schottky solar cells can be successfully explained on the basis of the TE mechanism with a GD of the BHs. In addition, the capacitance-voltage (C-V) characteristics of Au-CdTe solar cells have been investigated at room temperature and 1 MHz.
机译：考虑了120-380 K温度范围内的串联电阻（R s）效应，研究了Au / n-CdTe肖特基太阳能电池中的电流传导机理。获得的主要电参数值（例如零偏势垒高度）发现（Φ_（bo）），理想因子（n）和R _s是温度的强函数。当Φ_（bo）增加时，n随温度升高而降低。可以基于热电子发射（TE）理论来解释这种行为，其中势垒高度（BH）的高斯分布（GD）与金属/半导体（M / S）界面处的不均匀性有关。结果表明，基于BHs的GD的TE机理，可以成功地解释Au / n-CdTe肖特基太阳能电池的导电机理。另外，已经在室温和1MHz下研究了Au / n-CdTe太阳能电池的电容-电压（C-V）特性。

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