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Electronic structure and optical properties of Sn-doped ZnO

机译：Sn掺杂ZnO的电子结构和光学性质

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A deeper understanding on the atomic and electronic structure of ZnO material is crucial for explaining, predicting, and optimizing its properties, and to suggest materials for better performance. In this work, we present our first-principle studies of the energy bands associated with Sn impurity in ZnO using supercell models. We find that, due to Sn doping, the conduction band moves to the low-energy region, and the band gap becomes smaller than that of pure ZnO. In terms of the calculated band structures, we are also able to explain qualitatively the measured optical properties of Sn-doped ZnO powders.
机译：对ZnO材料的原子和电子结构有更深入的了解对于解释，预测和优化其性能以及建议材料具有更好的性能至关重要。在这项工作中，我们介绍了使用超级电池模型对与ZnO中的Sn杂质相关的能带进行的第一性原理研究。我们发现，由于Sn的掺杂，导带移动到了低能区，并且带隙变得比纯ZnO小。根据计算的能带结构，我们还可以定性地解释掺Sn的ZnO粉末的光学性能。

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