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首页> 外文期刊>Physica, B. Condensed Matter >First-order Raman scattering in a free-standing GaN nanowire with ring geometry
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First-order Raman scattering in a free-standing GaN nanowire with ring geometry

机译：具有环形几何形状的自支撑GaN纳米线中的一阶拉曼散射

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We have investigated one phonon resonant Raman scattering in GaN nanowires (NWs) with ring geometry. We consider the Fr?hlich electron-phonon interaction in the framework of the dielectric continuum approach. The selection rules are studied. For the GaN NWs with small radius, results reveal that the main contribution to the differential cross-section (DCS) stems from the surface optical (SO) phonons especially from the high-frequency of SO phonons, with a minor contribution from the longitudinal optical (LO) phonons. Meanwhile, dispersions of the two branches of the SO phonon modes are obvious when the wire is thin. Moreover, compared to GaAs NWs, the GaN NWs make more contribution to the DCS in the small quantum size.
机译：我们研究了具有环几何形状的GaN纳米线（NW）中的一种声子共振拉曼散射。我们在介电连续体方法的框架内考虑Fr？hlich电子-声子相互作用。研究了选择规则。对于小半径的GaN NW，结果表明，对微分截面（DCS）的主要贡献来自表面光学（SO）声子，尤其是来自SO声子的高频，而纵向光学的贡献很小。 （LO）声子同时，当导线较细时，SO声子模式的两个分支的色散很明显。此外，与GaAs NW相比，GaN NW在较小的量子尺寸中对DCS的贡献更大。

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