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首页> 外文期刊>Physical Review, B. Condensed Matter >Divacancy in 3C- and 4H-SiC: An extremely stable defect - art. no. 085202
【24h】

Divacancy in 3C- and 4H-SiC: An extremely stable defect - art. no. 085202

机译：3C-SiC和4H-SiC的离异：极其稳定的缺陷-艺术。没有。 085202

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Using first-principles calculations for divacancy defects in 3 C- and 4H-SiC, we determine their formation energies and stability, their ionization levels, and relaxed geometries (symmetry point groups) for neutral as well as for charged states. For 4H-SiC all four possible, nearest-neighbor divacancy configurations are considered. We find not only a remarkable high binding energy of about 4 eV, but also a strong site dependence (cubic or hexagonal lattice sites) of the formation energies. Applying a Madelung-type correction to deal with the electrostatic interactions between charged supercells, our results indicate a negative-U behavior at E-v + 0.7 eV between the charge states 1 + /1 - only for nearest-neighbor divacancies on different lattice sites (mixed cubic and hexagonal) in 4H-SiC, but not for all the other cases (pure cubic or pure hexagonal) in 4H- or for the cubic divacancy in 3C-SiC. [References: 42]
机译：使用第一原理计算3 C-和4H-SiC中的空位缺陷，我们确定了它们在中性状态和带电状态下的形成能和稳定性，其电离水平以及弛豫的几何形状（对称点组）。对于4H-SiC，考虑了所有四个可能的，最近邻居的空位配置。我们不仅发现了大约4 eV的显着高结合能，而且还发现了形成能具有很强的位点依赖性（立方或六边形晶格位点）。应用马德隆类型校正来处理带电超级电池之间的静电相互作用，我们的结果表明，在荷电状态1 + / 1之间，Ev + 0.7 eV处的负U行为-仅适用于不同晶格位点上的最近邻居空位（混合4H-SiC中的立方晶格和六方晶），但对于4H-SiC中的所有其他情况（纯立方或纯六方晶）或3C-SiC中的立方晶格空位都不适用。 [参考：42]

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