Structural determination of the low-coverage phase of Al on Si(001) surface - art. no. 244723

Park JY; Seo JH; Whang CN; Kim SS; Choi DS; Chae KH

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【24h】

Structural determination of the low-coverage phase of Al on Si(001) surface - art. no. 244723

机译：Si（001）表面上Al的低覆盖相的结构确定-Art。没有。 244723

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The atomic structure of Al layer on Si(001)-(2x1) surface has been studied by coaxial impact collision ion scattering spectroscopy. When 0.5 monolayer (ML) of Al atoms are adsorbed on Si(001) at room temperature, it is found that Al adatoms are dimerized and Al ad-dimers are oriented parallel to the underlying Si dimers at the position of centering T3 site with a height of 1.02 A from the first layer of Si(001). The bond length of the Al dimer is 2.67 angstrom. With increasing Al coverage up to one ML, Al ad-dimers still occupied near T3 site and the next favorable site is near HH site. (c) 2005 American Institute of Physics.

机译：通过同轴碰撞碰撞离子散射光谱研究了Si（001）-（2x1）表面Al层的原子结构。在室温下，当0.5个单分子层（ML）的Al原子吸附在Si（001）上时，发现Al原子是二聚体，并且Al的二聚体在中心T3位置与下面的Si二聚体平行取向。距Si（001）第一层的高度为1.02 A. Al二聚体的键长为2.67埃。随着Al覆盖率增加至一个ML，Al ad-二聚体仍占据着T3站点附近，而下一个有利站点则位于HH站点附近。（c）2005年美国物理研究所。

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来源
《The Journal of Chemical Physics》 |2005年第24期|共1页
作者
Park JY; Seo JH; Whang CN; Kim SS; Choi DS; Chae KH;
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作者单位

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收录信息
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类
关键词
ION-SCATTERING SPECTROSCOPY; SI(100) SURFACE; GA; GROWTH; ORIENTATION; ADSORPTION;

机译：离子散射光谱;SI（100）表面;GA;生长;取向;吸附;

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