机译:从头算分子动力学模拟a-Al_2O_3 / vacuum和a-ZrO_2 / vacuum与a-Al_2O_3 / Ge(100)(2 X 1)和a-ZrO_2 / Ge(100)(2 X 1)界面的性质
dynamics; simulations; properties;
机译:从头算分子动力学模拟a-Al_2O_3 / vacuum和a-ZrO_2 / vacuum与a-Al_2O_3 / Ge(100)(2 X 1)和a-ZrO_2 / Ge(100)(2 X 1)界面的性质
机译:a-Al_2O_3 / Ge,a-Al_2O_3 / InGaAs和a-Al_2O_3 / InAlAs / InGaAs在非晶Al_2O_3 /半导体界面处原子尺度混合的分子动力学模拟比较
机译:密度功能理论A-HFO2 / GE(100)(2×1)和A-ZrO2 / Ge(100)(2×1)接口钝化的密度 - 功能理论分子动力学模拟
机译:真空下CU的AB INITIO分子动力学模拟和473〜1573K
机译:电子激发的硅中氢和氘的脱附的超低温超高真空扫描隧道显微镜(100)。
机译:针铁矿(100)表面/水界面的弱束缚水结构键价饱和度和水动力学:从头算动力学模拟
机译:出版商注:“H / INP(100)-WATER接口的AB INITIO分子动力学模拟”J。化学。物理。 117,872(2002)
机译:Ge(100)表面上的从头算分子动力学