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Chemical Bonding in Silicon —Carbene Complexes

机译：硅-碳络合物中的化学键

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The bonding situations in the newly synthesized silicon—carbene complexes with formulas L:SiC14, L:(Cl)Si—Si(Cl):L, and L:Si=Si:L (where L: is an N-heterocyclic carbene), are reported using density functional theory at the BP86/TZ2P level. The bonding analysis clearly shows that the bonding situation in the silicon—carbene complexes cannot be described in terms of donor—acceptor interactions depicted in the Dewar—Chatt—Duncanson model. The energy decomposition analysis (EDA) shows that the electrostatic attraction plays an important or even dominant role for the Si—Ccarbene binding interactions in the silicon—carbene complexes. That the molecular orbitals of the silicon—carbene complexes are lower in energy than the parent orbitals of carbenes indicates that these complexes are better described as stabilized carbene complexes.
机译：新合成的分子式为L：SiC14，L：（Cl）Si-Si（Cl）：L和L：Si = Si：L的硅碳烯配合物中的键合情况（其中L：为N杂环卡宾）使用密度泛函理论在BP86 / TZ2P级别报道了。键合分析清楚地表明，无法通过Dewar-Chatt-Duncanson模型中描述的供体-受体相互作用描述硅-卡宾络合物中的键合情况。能量分解分析（EDA）表明，静电吸引力对于硅碳烯络合物中的Si碳卡宾键相互作用起着重要甚至主导的作用。硅-卡宾配合物的分子轨道的能量低于碳烯的母体轨道的能量，表明这些配合物被更好地描述为稳定的卡宾配合物。

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