机译:从第一性原理计算静水压力对ETN和PETN结构和电子性能的影响
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机译:静水压力下BaTiO_3和BaZrO_3的结构,电子和光学性质的第一性原理计算
机译:静水压力对立方单碳化物XC(X = Ti,V,Cr,Nb,Mo,Hf)的结构,弹性和热力学性质的第一性原理计算
机译:不同静水压力下LiInTe
机译:根据第一性原理计算的几种窄带隙半导体的高压特性
机译:高压下Mo2FeB2的结构电子磁和弹性性质的第一性原理计算
机译:结构,弹性和电子的第一性原理计算
在环境温度下mNxC1-x(m = Ti,Zr,Hf; 0