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首页> 外文期刊>The journal of physical chemistry, C. Nanomaterials and interfaces >Direct Observation of Surface-Mediated Electron-Hole Pair Recombination in TiO2(110)
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Direct Observation of Surface-Mediated Electron-Hole Pair Recombination in TiO2(110)

机译：TiO2（110）中表面介电电子-空穴对复合的直接观察

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The kinetics of surface and bulk electron-hole pair recombination have been measured separately on TiO2(110) in ultrahigh vacuum under well-controlled surface conditions for the first time. Using 100 eV incident electrons, excitation of electron-hole pairs occurs within ～6 A of the surface, and the rate of stimulated desorption of O2 was measured as a means of determining the charge carrier recombination kinetics, which are found to be mediated by the surface and to be first-order in charge carrier concentration. Comparison with a previous O2 photodesorption experiment, where excitation by 3.4 eV photons was used for electron-hole pair generation in a deeper region below the surface (～100 A), shows that bulk recombination in TiO2 occurs by second-order kinetics in charge carrier concentration.
机译：首次在良好控制的表面条件下，在超高真空下分别在TiO2（110）上测量了表面和体电子-空穴对重组的动力学。使用100 eV入射电子，在表面的〜6 A范围内发生电子-空穴对的激发，并测量了O2的受激解吸速率，作为确定电荷载流子复合动力学的一种手段，发现该现象是由电子介导的。表面和电荷载流子浓度是一阶的。与以前的O2光解吸实验进行比较，在O2光解吸实验中，通过3.4 eV光子的激发在表面以下的较深区域（约​​100 A）中生成电子-空穴对，结果表明TiO2中的整体重组是通过电荷载流子的二级动力学发生的浓度。

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