• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Journal of Applied Polymer Science >Effect of swelling pretreatment on the deposition structure on electroless copper of polyacrylonitrile nanocomposites for electromagnetic interference shielding
【24h】

Effect of swelling pretreatment on the deposition structure on electroless copper of polyacrylonitrile nanocomposites for electromagnetic interference shielding

机译：溶胀预处理对用于电磁干扰屏蔽的聚丙烯腈纳米复合材料化学镀铜沉积结构的影响

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

In this investigation, the electroless copper method with various cupric sulfate concentrations (0.24, 0.36, 0.48, 0.60M) without sensitizing and activating is used to deposit electroless copper compounds (CuS) on the swelling pretreatment polyacrylonitrile(SPAN) surface for electromagnetic interference (EMI) shielding materials. The acetic acid can swell polyacrylonitrile (PAN) effectively which donot destroy the hexagonal structure of polyacrylonitrile, only looses the molecule chain of polyacrylonitrile then the hexagonal CuS crystal deposits on the SPAN easily, and increases the EMI shielding effectiveness (SE) of CuS-SPAN composites. However, the nearly amorphous of CuS deposits on the surface of without swelling pretreatment PAN(CuS-PAN). The EMI SE of CuS-SPAN composites are better than those of CuS-PAN, 10-15 dB larger from CuS-PAN. In the study, the best EMI SE of CuS-SPAN and CuS-PAN composites are about 30-35 dB and 18-20 dB respectively, as the cupric ion concentration is 0.48M. From the high resolution transmission electron micrographs(HR-TEM) analysis, there are two structures, face-centered cubic(FCC) Cu2-xS crystal in the inner layer of CuS-SPAN composite and hexagonal CuS crystal on the outer layer of CuS-SPAN composite, in the SPAN as the cupric ion concentration is 0.48M. The particle size distribution of Cu2-xS in the inner layer of CuS-SPAN is from 6 to 30 nm. However, the major particle size distribution of Cu2-xS in the, inner layer of CuS-SPAN is from 15 to 20 nm. (c) 2008 Wiley Periodicals, Inc. J Appl Polym Sci 109: 3679-3688,2008.
机译：在这项研究中，使用具有多种硫酸铜浓度（0.24、0.36、0.48、0.60M）且不进行敏化和活化的化学镀铜方法将化学镀铜化合物（CuS）沉积在溶胀的预处理聚丙烯腈（SPAN）表面上以防止电磁干扰（ EMI）屏蔽材料。乙酸可以有效溶胀聚丙烯腈（PAN），而不会破坏聚丙烯腈的六边形结构，只松开聚丙烯腈的分子链，然后六角形CuS晶体容易沉积在SPAN上，并提高了CuS-SPAN的EMI屏蔽效果（SE）复合材料。然而，几乎没有定型的CuS沉积在未经溶胀的预处理PAN（CuS-PAN）的表面上。 CuS-SPAN复合材料的EMI SE优于CuS-PAN，比CuS-PAN大10-15 dB。在研究中，当铜离子浓度为0.48M时，CuS-SPAN和CuS-PAN复合材料的最佳EMI SE分别约为30-35 dB和18-20 dB。从高分辨率透射电子显微照片（HR-TEM）分析来看，有两种结构：CuS-SPAN复合材料内层中的面心立方（FCC）Cu2-xS晶体和CuS-SPAN外层中的六方CuS晶体。 SPAN复合物，在SPAN中的铜离子浓度为0.48M。 CuS-SPAN的内层中的Cu2-xS的粒径分布为6〜30nm。但是，CuS-SPAN的内层中Cu2-xS的主要粒径分布为15至20 nm。 （c）2008 Wiley Periodicals，Inc. J Appl Polym Sci 109：3679-3688，2008。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号