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首页> 外文期刊>Journal of Alloys and Compounds: An Interdisciplinary Journal of Materials Science and Solid-state Chemistry and Physics >Growth of gallium nitride on silicon by molecular beam epitaxy incorporating a chromium nitride interlayer
【24h】

Growth of gallium nitride on silicon by molecular beam epitaxy incorporating a chromium nitride interlayer

机译：通过结合氮化铬中间层的分子束外延在硅上生长氮化镓

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This study grew GaN epilayers on Si(l 11) substrate via molecular beam epitaxy, with a CrN interlayer fabricated through a nitridation process. The X-ray diffraction results showed two peaks corresponding to CrN(l 11) and GaN(0 002). The results of auger election spectroscopy showed that the concentration of electrons was relatively low in the samples grown with a CrN interlayer, due to CrN preventing Si atoms from diffusing into the GaN epilayer, thereby reducing electron concentration. Photoluminescence spectra indicated that donor-accepter pair recombination (DAP) emission was not generated in the GaN with a CrN interlayer because of improved crystalline quality and a reduction in electron concentration.
机译：这项研究通过分子束外延在Si（11）衬底上生长GaN外延层，并通过氮化工艺制备了CrN中间层。 X射线衍射结果显示出对应于CrN（11）和GaN（0002）的两个峰。俄歇电子能谱的结果表明，在带有CrN中间层的样品中，电子的浓度相对较低，这是因为CrN阻止了Si原子扩散到GaN外延层中，从而降低了电子浓度。光致发光光谱表明，由于具有改善的晶体质量和电子浓度的降低，在具有CrN中间层的GaN中未产生施主-受主对复合（DAP）发射。

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