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【24h】

Structural, electronic and optical properties of YNi4Si-type RNi4Si compounds (R = La and Gd): a new orthorhombic derivative of CaCu5 structure

机译：YNi4Si型RNi4Si化合物（R = La和Gd）的结构，电子和光学性质：CaCu5结构的一种新的正交晶衍生物

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The structural, electronic and optical properties of new YNi4Si-type RNi4Si (R = La and Gd) compounds are studied using full-potential augmented plane-wave method. To account better for the on-site f electron correlation, we adopted the Coulomb-corrected local spin density approximation (LSDA + U) exchange-correlation potential. Our optimized results of lattice parameters show good agreement to the previously reported experimental study. Analysis of the calculated band structure of LaNi4Si and GdNi4Si compounds demonstrates their metallic character. We found Ni-3d states mainly contribute to density of states from -5.0 eV to the Fermi level which is consistent with experiment and previously reported result by Kowalczyk et al. (J Magn Magn Mater 305:348-351, 2006), having hexagonal CaCu5 structure. Our calculated optical conductivity compares well with the experimental data and the results are analysed in the light of band-to-band transitions.
机译：使用全能增强平面波方法研究了新型YNi4Si型RNi4Si（R = La和Gd）化合物的结构，电子和光学性质。为了更好地说明现场f电子相关性，我们采用了库仑校正的局部自旋密度近似（LSDA + U）交换相关势。我们优化的晶格参数结果与先前报道的实验研究吻合良好。对LaNi4Si和GdNi4Si化合物的能带结构进行的分析证明了其金属特性。我们发现Ni-3d态主要是从-5.0 eV到费米能级的态密度贡献的，这与实验相符，并且先前由Kowalczyk等人报道。 （J Magn Magn Mater 305：348-351，2006），具有六方CaCu 5结构。我们计算出的光导率与实验数据进行了很好的比较，并根据带间跃迁对结果进行了分析。

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