CuO nanowires for inhibiting secondary electron emission

Aguilera L.; Montero I.; Dávila M.E.; Ruiz A.; Galán L.; Nistor V.; Raboso D.; Palomares J.; Soria F.

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CuO nanowires for inhibiting secondary electron emission

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Copper oxide nanowires (NWs) grown on copper to avoid the secondary electron emission were investigated. Optimal temperatures for NW growth were found to be in the range 700-800 K. NW surface coverage of 10~2 μm~(-2) is required to strongly reduce the secondary electron yield. A total secondary electron emission coefficient below 1 was obtained for NW aspect ratio higher than 10~3.

机译：研究了在铜上生长以避免二次电子发射的氧化铜纳米线（NWs）。发现NW生长的最佳温度在700-800 K范围内。NW表面覆盖率必须达到10〜2μm〜（-2），才能大大降低二次电子的产量。 NW长径比大于10〜3时，总二次电子发射系数小于1。

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来源
《Journal of Physics, D. Applied Physics: A Europhysics Journal》 |2013年第16期|共6页
作者
Aguilera L.; Montero I.; Dávila M.E.; Ruiz A.; Galán L.; Nistor V.; Raboso D.; Palomares J.; Soria F.;
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