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Investigation of tungsten doped tin oxide thin film transistors

机译：钨掺杂氧化锡薄膜晶体管的研究

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Tungsten doped tin oxide thin film transistors (TWO-TFTs) were fabricated by radio frequency magnetron sputtering. With TWO thin films as the channel layers, the TFTs show lower off-current and positive shift turn-on voltage than the intrinsic tin oxide TFTs, which can be explained by the reason that W doping is conducive to suppress the carrier concentration of the TWO channel layer. It is important to elect an appropriate channel thickness for improving the TFT performance. The optimum TFT performance in enhancement mode is achieved at W doping content of 2.7 at% and channel thickness of 12 nm, with the saturation mobility, turn-on voltage, subthreshold swing value and on-off current ratio of 5 cm(2) V-1 s(-1), 0.4 V, 0.4 V/decade and 2.4 x 10(6), respectively.
机译：通过射频磁控溅射制备了掺钨的氧化锡薄膜晶体管（TWO-TFT）。在使用两个薄膜作为沟道层的情况下，TFT的关断电流和正向移动的导通电压都低于本征氧化锡TFT，这可以解释为W掺杂有利于抑制两个载流子的载流子浓度通道层。重要的是选择合适的沟道厚度以改善TFT性能。 W掺杂含量为2.7 at％，沟道厚度为12 nm时，在增强模式下可获得最佳的TFT性能，饱和迁移率，导通电压，亚阈值摆幅值和开关电流比为5 cm（2）V -1 s（-1），0.4 V，0.4 V /十倍频程和2.4 x 10（6）。

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