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首页> 外文期刊>Journal of Physics, D. Applied Physics: A Europhysics Journal >Multilayer MoS2 prepared by one-time and repeated chemical vapor depositions: anomalous Raman shifts and transistors with high ON/OFF ratio
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Multilayer MoS2 prepared by one-time and repeated chemical vapor depositions: anomalous Raman shifts and transistors with high ON/OFF ratio

机译：通过一次和多次化学气相沉积制备的多层MoS2：异常拉曼位移和具有高导通/截止比的晶体管

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We show that multilayer molybdenum disulfide (MoS2) grown with the chemical vapor deposition (CVD) may exhibit quite distinct behaviors of Raman shifts from those of exfoliated ones. The anomalous Raman shifts depend on CVD growth modes and are attributed to the modified dielectric screening and interlayer coupling of MoS2 in various growth conditions. With repeated CVD growths, we demonstrated the precise control over the layer number of MoS2. A decently large drain current, high ON/OFF ratio of 10(5), and enhanced field-effect mobility can be achieved in transistors fabricated on the six-layer MoS2.
机译：我们表明，随着化学气相沉积（CVD）生长的多层二硫化钼（MoS2）可能表现出与剥离的拉曼位移非常不同的行为。异常拉曼位移取决于CVD生长模式，并且归因于在各种生长条件下MoS2的改良介电屏蔽和层间耦合。通过不断的CVD生长，我们证明了对MoS2层数的精确控制。在六层MoS2上制造的晶体管中，可以实现相当大的漏极电流，高的开/关比10（5）和增强的场效应迁移率。

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