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Molecular-dynamics simulations of nucleation and crystallization processes of laser crystallized poly-Si

机译：激光结晶多晶硅的成核和结晶过程的分子动力学模拟

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The nucleation and crystallization processes of excimer-laser annealed Si on a SiO2 substrate for complete melting conditions have been investigated by using molecular-dynamics simulations. In the early stage of nucleation, the preferential growth of nuclei with a {111} face normal to the surface was originated from the {111} twin boundaries with a low surface energy. The partial rotation of the dimer leads to the growth of {111}-oriented nuclei along twins that have different stacking sequences. The recombination of vacancies and dimers at the solidification front is directly related to {111} growth from the twin boundaries.
机译：利用分子动力学模拟研究了准分子激光退火的SiO 2衬底上Si在完全熔化条件下的成核和结晶过程。在成核的早期，具有{111}面垂直于表面的核的优先生长源自具有低表面能的{111}孪晶边界。二聚体的部分旋转导致{111}-取向的核沿着具有不同堆积顺序的孪晶生长。凝固前沿空位和二聚体的重组与{111}从孪晶边界的生长直接相关。

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