• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Nanotechnology >High performance tunnel field effect transistors based on in-plane transition metal dichalcogenide heterojunctions
【24h】

High performance tunnel field effect transistors based on in-plane transition metal dichalcogenide heterojunctions

机译：高性能隧道场效应晶体管基于面内过渡金属二硫代甲烷异质结

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

In-plane heterojunction tunnel field effect transistors based on monolayer transition metal dichalcogenides are studied by means of self-consistent non-equilibrium Green's functions simulations and an atomistic tight-binding Hamiltonian. We start by comparing several heterojunctions before focusing on the most promising ones, i.e. WTe2-MoS2 and MoTe2-MoS2. The scalability of those devices as a function of channel length is studied, and the influence of backgate voltages on device performance is analyzed. Our results indicate that, by fine-tuning the design parameters, those devices can yield extremely low subthreshold swings (5 mV/decade) and I-ON/I-OFF ratios higher than 10(8) at a supply voltage of 0.3 V, making them ideal for ultra-low power consumption.
机译：基于单层过渡金属二甲基甲基化物的面内异质结隧道场效应晶体管通过自我一致的非平衡绿色的功能模拟和原子紧密的哈密顿人进行研究。 我们首先比较若干异电功能，然后重点关注最有希望的异功能，即WTE2-MOS2和MOTE2-MOS2。 研究了这些装置的可扩展性作为信道长度的函数，分析了基底电压对设备性能的影响。 我们的结果表明，通过微调设计参数，这些设备可以在0.3的电源电压下产生极低的亚阈值（＆ 5 mv / deadade），高于10（8）的I-ON / I-OFF比率 v，使其成为超低功耗的理想选择。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号