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Elaboration and characterization of a 200 mm stretchable and flexible ultra-thin semi-conductor film

机译:阐述和表征200毫米可拉伸和柔性的超薄半导体膜

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摘要

We describe a process for transferring a 200 nm thick, 200 mm wide monocrystalline silicon (mono c-Si) thin film from a silicon-on-insulator onto a flexible polymer substrate. The result is a stretchable and flexible ultra-thin semi-conductor film that can be subjected to tensile stress experiments. The process uses off-the-shelf 200 mm wafers and standard polymer temporary bonding techniques. The backside substrate and buried oxide are removed using grinding and wet etching processes. No cracks or wrinkles are observed on the film prior to the tensile stress experiments. The stretching of the flexible structure results in up to 1.5% uniaxial tensile elastic strain on the thin mono c-Si film.
机译:我们描述了将来自绝缘体上的硅环中的200mm厚的200mm宽的200mm宽的200mm宽的一硅(单C-Si)薄膜转移到柔性聚合物基材上。 结果是可伸缩且柔性的超薄半导体膜,其可以进行拉伸应力实验。 该过程使用现成的200mm晶片和标准聚合物临时粘合技术。 使用研磨和湿法蚀刻工艺除去后侧基板和掩埋氧化物。 在拉伸应力实验之前在膜上没有观察到裂缝或皱纹。 柔性结构的拉伸导致薄的单轴C-Si薄膜上的高达1.5%的单轴拉伸弹性应变。

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