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首页> 外文期刊>Nanotechnology >The enhancement mechanism of photo-response depending on oxygen pressure for Ga2O3 photo detectors
【24h】

The enhancement mechanism of photo-response depending on oxygen pressure for Ga2O3 photo detectors

机译：基于GA2O3照片探测器的氧气压力的光响应的增强机理

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We have optimized the responsivity and response speed of a beta-Ga2O3-based photodetector. The beta-Ga2O3 thin films were deposited on a glass substrate under various oxygen partial pressures from 0 to 50 mTorr using pulsed laser deposition. Time-response measurements show that the as-grown beta-Ga2O3 at an oxygen partial pressure of 50 mTorr has the fastest response speed and decay times of 33 and 100 ms, which are better than those prepared at lower oxygen pressures. This sample also showed a high photoresponsivity of 5 A W-1 and detectivity of 10(12) cmHz(1/2)/W. The high performance of the beta-Ga2O3 detector grown at the oxygen partial pressure of 50 mTorr might be due to the reduction of oxygen vacancies caused by the increase in oxygen content during deposition. The results reveal the importance of the oxygen processing gas in promoting photodetector performance.
机译：我们已经优化了基于Beta-Ga2O3的光电探测器的响应性和响应速度。 使用脉冲激光沉积，在各种氧气部分压力下在玻璃基板上沉积β-Ga2O3薄膜。使用脉冲激光沉积，在0至50mTorr的各种氧气部分压力下沉积。 时间响应测量表明，在50mTorr的氧分压下的生长β-Ga2O3具有最快的响应速度和衰减时间为33和100ms，其优于在较低氧气压力下制备的那些。 该样品还显示出5 A W-1的高光响应性，以及10（12）CMHz（1/2）/ W的探测率。 在50 mtorr的氧分压下生长的β-Ga2O3检测器的高性能可能是由于沉积期间氧含量的增加引起的氧空位的降低。 结果揭示了氧气处理气体在促进光电探测器性能方面的重要性。

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