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Quantum dot light-emitting diodes with an Al-doped ZnO anode

机译：Quantum Dot发光二极管，具有Al-掺杂的ZnO阳极

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A study of hybrid ZnCdSeS/ZnS quantum dot light-emitting diodes (QLEDs) device fabricated with indium tin oxide-free transparent electrodes is presented. Al-doped zinc oxide (AZO) prepared by magnetron sputtering is adopted in anode transparent electrodes for green QLEDs with different sputtering pressures. A Kelvin probe force microscopy measurement showed that AZO has a work function of approximately 5.0 eV. The AZO/poly(ethylene-dioxythiophene)/polystyrenesulfonate (PEDOT:PSS) interface can be adjusted by the sputtering pressures, which was confirmed by hole-only devices. AZO films with low surface roughness can form a good AZO/PEDOT:PSS interface, which can increase the holes' injection, and result in an improved charge balance. The maximum current efficiency, luminance, and external quantum efficiency of the optimized QLED devices under a sputtering pressure of 1 mTorr can achieve values of 50.75 cd A(-1), 102 500 cd m(-2), and 12.94%, respectively.
机译：提出了一种用氧化铟锡透明电极制造的混合ZnCDS / ZnS量子点发光二极管（QLED）装置。 通过磁控溅射制备的Al掺杂的氧化锌（AZO）在阳极透明电极中采用具有不同溅射压力的绿QLED。 开尔文探测力显微镜测量结果表明，AZO具有约5.0 eV的功函数。 偶氮/聚（乙烯二氧基噻吩）/聚苯乙烯磺酸盐（PEDOT：PSS）界面可以通过溅射压力来调节，该溅射压力通过仅孔的装置确认。 表面粗糙度低表面粗糙度可以形成一个良好的AZO / PEDOT：PSS接口，可以增加孔的注射，并导致改善的电荷平衡。 优化QLED装置的最大电流效率，亮度和外部量子效率在1毫托的溅射压力下，可以分别达到50.75cd A（-1），102 500cdm（-2）和12.94％的值。

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