机译:GaAs纳米线中的嵌入式牺牲ALAS段用于底物再利用
nanowire; sacrificial segment; substrate reuse; electrodeposition;
机译:GaAs纳米线中的嵌入式牺牲ALAS段用于底物再利用
机译:InGaas太阳能电池的外延升降从INP衬底使用紧张的AlaS / Inalas超晶格作为新的牺牲层
机译:Si衬底上外延生长的垂直排列的AlAs / GaAs / GaP异质结构纳米线的结构,组成和光学表征
机译:Si衬底上生长的AlAs / GaAs / GaP异质结构纳米线
机译:GaAs(100)衬底上的纳米线的生长
机译:Si(100)和Si(111)衬底生长的GaAs / AlGaAs核壳纳米线中光生载流子的动力学
机译:用于新应用的在Si(100)衬底上制备GaAs纳米线和GaAs-Si轴向异质结构纳米线
机译:利用NaCl牺牲基板制备单晶Gaas太阳能电池。年度报告,1982年8月1日至1983年10月14日