Estimation of the lateral dimensions of epitaxial submonolayer CdSe/ZnSe quantum dots

Basilio-Ortiz J. C.; Sutara F.; Hernandez-Calderon I

首页> 外文期刊>Nanotechnology >Estimation of the lateral dimensions of epitaxial submonolayer CdSe/ZnSe quantum dots

【24h】

Estimation of the lateral dimensions of epitaxial submonolayer CdSe/ZnSe quantum dots

机译：外延亚底层CDSE / ZnSe量子点的横向尺寸的估计

获取原文

获取原文并翻译 | 示例

掌桥外文数据库（机构版） >>

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

CdSe fractional monolayer quantum dots (FMQDs) embedded in a ZnSe matrix were produced by atomic layer epitaxy with a nominal coverage of 0.5 monolayer. They have a thickness of a/2, where a is the strained perpendicular lattice constant of cubic CdSe. Their photoluminescence spectra at low temperature exhibit narrow and intense excitonic emission around 2.759 eV. Based on the experimental excitonic emission energy and applying the factorized-envelope approximation, we have estimated that the lateral dimensions of these FMQDs are around 4-5 nm and their density is similar to 3x1012 展开▼

机译：通过原子层外延产生嵌入ZnSe基质中的Cdse分数单层量子点（FMQDS），其标称覆盖物为0.5单层。它们具有A / 2的厚度，其中A是立方CDSE的应变垂直晶格常数。低温下的光致发光光谱表现出窄且激烈的激烈发射左右约为2.759eV。基于实验激发性发射能量并应用分解包络近似，我们估计这些FMQDS的横向尺寸约为4-5nm，其密度类似于3×1012 展开▼

著录项

来源
《Nanotechnology》 |2020年第28期|共5页

作者
Basilio-Ortiz J. C.; Sutara F.; Hernandez-Calderon I;
展开▼

作者单位

IPN CINVESTAV Ctr Res &

Adv Studies DNyN Program Mexico City DF Mexico;

IPN CINVESTAV Ctr Res &

Adv Studies Dept Phys Mexico City DF Mexico;

IPN CINVESTAV Ctr Res &

Adv Studies DNyN Program Mexico City DF Mexico;

展开▼

收录信息

原文格式 PDF

正文语种 eng

中图分类特种结构材料;

关键词
CdSe quantum dots; fractional monolayer quantum dots; quantum dots size; epitaxial quantum dots; ultra-thin quantum dots; submonolayer quantum dots;

机译：CDSE量子点;分数单层量子点;量子点尺寸;外延量子点;超薄量子点;亚底板量子点;

相似文献

外文文献

中文文献

专利

1. Estimation of the lateral dimensions of epitaxial submonolayer CdSe/ZnSe quantum dots [J] . Basilio-Ortiz J. C., Sutara F., Hernandez-Calderon I Nanotechnology . 2020,第28期

机译：外延亚底层CDSE / ZnSe量子点的横向尺寸的估计

2. Synthesis of Luminescent Thin-Film CdSe/ZnSe Quantum Dot Composites Using CdSe Quantum Dots Passivated with an Overlayer of ZnSe [J] . Michal Danek, Klavs F. Jensen, Chris B. Murray, Chemistry of Materials . 1996,第1期

机译：使用钝化的ZnSe覆盖层的CdSe量子点合成发光薄膜CdSe / ZnSe量子点复合材料

3. Determination of lateral size distribution of type-II ZnTe/ZnSe stacked submonolayer quantum dots via spectral analysis of optical signature of the Aharanov-Bohm excitons [J] . Ji Haojie, Dhomkar Siddharth, Roy Bidisha, Journal of Applied Physics . 2014,第16期

机译：通过Aharanov-Bohm激子的光学特征光谱分析确定II型ZnTe / ZnSe堆叠的亚单层量子点的横向尺寸分布

4. Self-ordering in CdSe/ZnSe, CdSe/(Zn,Mn)Se, InSb/GaSb, and InSb/InAs quantum dot structures and a novel type of quantum dot [C] . Peter Mock, Teya Topuria, Nigel D. Browning, Symposium on Semiconductor Quantum Dots . 2001

机译：CDSE / ZNSE，CDSE /（Zn，Mn）SE，INSB / GASB和INSB / INAS量子点结构和新型量子点中的自动排序

5. Properties of Type-II ZnTe/ZnSe Submonolayer Quantum Dots Studied via Excitonic Aharonov- Bohm Effect and Polarized Optical Spectroscopy. [D] . Ji, Haojie. 2016

机译：通过激子Aharonov-Bohm效应和偏振光谱研究了II型ZnTe / ZnSe亚单层量子点的性质。

6. Long spin-flip time and large Zeeman splitting of holes in type-II ZnTe/ZnSe submonolayer quantum dots [O] . H. Ji, S. Dhomkar, R. Wu, -1

机译：II型ZnTe / ZnSe亚单层量子点中的长自旋翻转时间和大的Zeeman裂隙

7. Enhanced electron lifetime of CdSe/CdS quantum dot (QD) sensitized solar cells using ZnSe core–shell structure with efficient regeneration of quantum Ddots [O] . Ahmed, Rasin, Zhao, Long, Mozer, Attila J., 2015

机译：使用ZnSe核壳结构和量子Ddot的有效再生，提高了CdSe / CdS量子点（QD）敏化太阳能电池的电子寿命

1. 强红黄光发射的CdSe/ZnSe/ZnS核壳结构量子点制备及生物应用 [J] . 周海峰 ,周娟 ,周广军 . 山东轻工业学院学报（自然科学版） . 2015,第004期

2. 强红黄光发射的CdSe/ZnSe/ZnS核壳结构量子点制备及生物应用 [J] . 周海峰1 ,周娟2 ,周广军1 . 齐鲁工业大学学报：自然科学版 . 2015,第004期

3. 水热法合成CdSe/ZnSe/ZnS核壳结构量子点 [J] . 胥燕 ,王新 ,翟镇德 . 山东农业大学学报（自然科学版） . 2014,第005期

4. CdSe/ZnSe/ZnS量子点在单晶太阳能电池中的应用 [J] . 严兴茂 ,王庆康 . 发光学报 . 2013,第010期

5. CdS-ZnSe和CdSe-ZnS量子点的合成和F(o)rster能量转移研究 [J] . 弓亚琼 ,詹寰 ,张贺楠 . 无机化学学报 . 2013,第002期

6. CdSe/ZnSe量子点的合成与荧光性质研究 [C] . 曲玉秋 ,李美成 . 2009年先进光学技术及其应用研讨会 . 2009

7. ZnSe量子点和ZnCdSe量子点的水相制备及表征 [A] . 张丹宁 . 2010

1. 一种高荧光产率的ZnSe/CdSe/ZnSe阱式量子点的制备方法 [P] . 中国专利： CN110964529A . 2020-04-07

2. 一种CdSe和CdSe－ZnSe核壳量子点的制备方法 [P] . 中国专利： CN101585516A . 2009-11-25

3. METHOD OF MANUFACTURING CdSe/ZnSe QUANTUM DOT/NANOROD HETERO NANO STRUCTURE [P] . 外国专利： KR20200050107A . 2020-05-11

机译：CdSe / ZnSe量子点/纳米杂原子结构的制造方法

4. Quantum dot optoelectronic devices with nanoscale epitaxial lateral overgrowth and methods of manufacture [P] . 外国专利： US7554109B2 . 2009-06-30

机译：具有纳米级外延横向过度生长的量子点光电器件及其制造方法

5. Methods of Manufacture for Quantum Dot optoelectronic devices with nanoscale epitaxial lateral overgrowth [P] . 外国专利： US2009269868A1 . 2009-10-29

机译：具有纳米级外延横向过度生长的量子点光电器件的制造方法

相关主题

Estimation of the lateral dimensions of epitaxial submonolayer CdSe/ZnSe quantum dots

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅