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Field-controllable second harmonic generation at a graphene oxide heterointerface

机译：石墨烯氧化物异化面上的现场可控的第二谐波产生

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We report on the voltage-dependent SHG signal obtained in a reduced-graphene oxide (rGO)/p-type Si heterointerface. A simple qualitative model considering the interaction between the heterointerface depletion region potential and the naturally occurring surface dipole layer on the rGO is introduced to account for the characteristics of the SHG signal, specifically, a minimum point at approximate to -3V bias on the rGO side of the interface. This feature-rich system has the potential to provide field-controllable surface-dipole moments and second-order nonlinearities, which may find applications in tunable nonlinear photonic devices for realizing second-harmonic generation and optical-rectification.
机译：我们报告在二氧化石墨烯（RGO）/ p型Si异化面上获得的电压依赖性SHG信号。 考虑到RGO上的异常接近耗尽区电位和天然存在的表面偶极层之间的相互作用的简单定性模型被引入到RGO上的特性，具体地，特定地，在RGO侧的近似的最小点近似 界面。 该特征富有的系统具有可提供现场可控的表面偶极矩和二阶非线性的潜力，其可以在可调谐非线性光子器件中找到应用，用于实现第二谐波产生和光学整流。

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