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Electrostatics of two-dimensional lateral junctions

机译：二维横向结的静电

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The increasing technological control of two-dimensional (2D) materials has allowed the demonstration of 2D lateral junctions exhibiting unique properties that might serve as the basis for a new generation of 2D electronic and optoelectronic devices. Notably, the chemically doped MoS2 homojunction, the WSe2-MoS2 monolayer and MoS2 monolayer/multilayer heterojunctions, have been demonstrated. Here we report the investigation of 2D lateral junction electrostatics, which differs from the bulk case because of the weaker screening, producing a much longer transition region between the space-charge region and the quasi-neutral region, making inappropriate the use of the complete-depletion region approximation. For such a purpose we have developed a method based on the conformal mapping technique to solve the 2D electrostatics, widely applicable to every kind of junctions, giving accurate results for even large asymmetric charge distribution scenarios.
机译：二维（2D）材料的越来越高的技术控制允许演示2D横向结，其具有可作为新一代2D电子和光电器件的基础的独特性能。 值得注意的是，已经证明了化学掺杂的MOS2同源掺杂，WSE2-MOS2单层和MOS2单层/多层异质结。 在这里，我们报告了对2D横向结静电的研究，这是由于较弱的筛选，在空间 - 电荷区域和准中立区域之间产生更长的过渡区域，使得完整的不适当地产生不适当的 耗尽区近似。 为此目的，我们开发了一种基于共形映射技术的方法，以解决2D静电，广泛适用于各种交叉点，为甚至大的不对称电荷分配方案提供准确的结果。

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