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Magnetic reversal and thermal stability of CoFeB perpendicular magnetic tunnel junction arrays patterned by block copolymer lithography

机译：嵌段共聚物光刻图案化CoFeB垂直磁隧道结阵列的磁反转和热稳定性

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Dense arrays of pillars, with diameters of 64 and 25 nm, were made from a perpendicular CoFeB magnetic tunnel junction thin film stack using block copolymer lithography. While the soft layer and hard layer in the 64 nm pillars reverse at different fields, the reversal of the two layers in the 25 nm pillars could not be distinguished, attributed to the strong interlayer magnetostatic coupling. First-order reversal curves were used to identify the steps that occur during switching, and the thermal stability and effective switching volume were determined from scan rate dependent hysteresis measurements.
机译：直径为64和25nm的孔径阵列由使用嵌段共聚物光刻垂直的CoFeB磁隧道结薄膜叠层制成。 虽然在64 nm柱中的软层和硬层在不同的领域反转，但是25nm柱中的两层的反转不能区分，归因于强的层间磁耦合耦合。 一阶反转曲线用于识别切换过程中发生的步骤，并且从扫描速率相关的滞后测量确定热稳定性和有效的开关体积。

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