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【24h】

Engineering synaptic characteristics of TaOx/HfO2 bi-layered resistive switching device

机译：Taox / HFO2双层电阻开关装置的工程突触特性

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We performed various pulse measurements on an atomic layer deposited (ALD) HfO2-based resistive switching random access memory (RRAM) device and investigated its electronic synaptic characteristics. Unlike requirements for RRAM device application, to achieve the multistate conductance changes required for the synaptic device, we employed additional sputtered TaO,, thin film formation on the ALD HfO2 switching medium, which leads to engineering the concentration of oxygen vacancies and modulating the conductive filaments. With this TaOx/HfO2 bi-layered device, we attained gradual resistive switching, linear and symmetric conductance change, improved endurance and reproducibility characteristics compared to a single HfO2 device. Finally, we emulated spike-timing-dependent plasticity based learning rule with pulses inspired by neural action potential, indicating its potential as an electronic synaptic device in a hardware neuromorphic system.
机译：我们对沉积的原子层（ALD）HFO2基电阻切换随机存取存储器（RRAM）设备进行了各种脉冲测量，并研究了其电子突触特性。 与RRAM设备应用的要求不同，为了实现突触装置所需的多态电导变化，我们在ALD HFO2切换介质上使用了额外的溅射TAO，薄膜形成，这导致工程氧空位的浓度并调节导电长丝 。 通过该Taox / HFO2双层装置，我们逐渐电阻切换，线性和对称电导变化，与单个HFO2器件相比提高了耐久性和再现性特性。 最后，我们模拟了由神经动作电位启发的脉冲的峰值基于依赖性的学习规则，表明其作为硬件神经系统中的电子突触装置的潜力。

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