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Giant magnetoresistance switching in multilayer graphene grown on cobalt

机译：在多层石墨烯的巨型磁阻切换在钴

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Magnetic multilayer devices, showing large magnetoresistance (MR) effects, have revolutionized magnetic sensing and data storage sectors over the last few decades. Two-dimensional van der Waals layered materials are relatively new entrants in this area, and these materials can give rise to large MR effects with diverse physical origins. Here we report observation of giant MR switching (similar to 10 orders of magnitude) in multilayered graphene grown on cobalt (Co) substrates, which persists even at room temperature. The origin of this effect is linked with weak interlayer coupling of the graphene stacks, which gives rise to an `interlayer MR' effect. This effect is found to be robust against some degree of inhomogeneity in the graphene stack, making it an attractive platform for the emerging area of flexible magnetic sensorics.
机译：磁性多层器件，显示大磁阻（MR）效应，在过去几十年中具有革新的磁感测和数据存储扇区。 二维范德瓦尔斯分层材料是该领域的相对较新的进入者，这些材料可以引起大的MR效应与不同的物理起源。 在这里，我们在钴（CO）底物上生长的多层石墨烯中，观察巨型MR切换（类似于10个数量级），甚至在室温下持续存在。 这种效果的起源与石墨烯堆叠的弱层间耦合有关，这导致了“中间层MR”效果。 发现这种效果在石墨烯叠层中的某种程度的不均匀性方面具有稳健，使其成为柔性磁感觉的新出现面积的有吸引力的平台。

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