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Balanced carrier injection of quantum dots light-emitting diodes: the case of interface barrier of bilayer ZnO electron transport layer

机译：平衡载体注射量子点发光二极管：双层ZnO电子传输层的界面屏障的情况

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Unbalanced carrier injection is one of the most important reasons for the efficiency roll-off in quantum dot light-emitting diodes. Reducing the electron injection can effectively balance the carrier transport and improve the optoelectronic performance of the device. In this work, a bilayer ZnO electron transport layer was fabricated by twice spin-coating and annealing methods. More than 60% of electrons are effectively blocked by the ZnO interface barrier compared with the standard device, resulting in increasing the maximum luminance of the device from 25 390 to 48 220 cd m(-2) and the current efficiency from 1.5 to 3.2 cd A(-1).
机译：不平衡载体注射是量子点发光二极管中效率滚动的最重要原因之一。 减少电子注入可以有效地平衡载波运输，提高器件的光电性能。 在这项工作中，通过两次旋涂和退火方法制造双层ZnO电子传输层。 与标准装置相比，ZnO界面屏障有效地阻挡了超过60％的电子，从而增加了从25 390到48 220cd m（-2）的器件的最大亮度，从1.5到3.2 CD的电流效率 a（-1）。

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